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英特爾 5100內(nèi)存控制器中樞芯片組上的5000/3000系列英特爾至強處理器

英特爾 5100內(nèi)存控制器中樞芯片組上的5000/3000系列英特爾至強處理器

產(chǎn)品簡介:

這些采用 45 納米和 65 納米制程技術的四核、雙核及單核英特爾® 至強® 處理器平臺擁有出色的性能、能效和極長的生命周期支持, 非常適用于計算密集型嵌入式、存儲和通信應用,其中包括存儲域網(wǎng)絡、網(wǎng)絡附屬存儲、路由器、IP-PBX、聚合/統(tǒng)一通信平臺、高級內(nèi)容防火墻、統(tǒng)一威脅管理系統(tǒng)、醫(yī)學影像、軍用信號及圖像處理和電信(有線/無線)服務器等。

產(chǎn)品分類:

嵌入式系統(tǒng)

品牌:

產(chǎn)品介紹

規(guī)范:

這些采用 45 納米和 65 納米制程技術的四核、雙核及單核英特爾® 至強® 處理器平臺擁有出色的性能、能效和極長的生命周期支持, 非常適用于計算密集型嵌入式、存儲和通信應用,其中包括存儲域網(wǎng)絡、網(wǎng)絡附屬存儲、路由器、IP-PBX、聚合/統(tǒng)一通信平臺、高級內(nèi)容防火墻、統(tǒng)一威脅管理系統(tǒng)、醫(yī)學影像、軍用信號及圖像處理和電信(有線/無線)服務器等。

基于英特爾® 酷睿™ 微體系結構的平臺在各類應用和用戶環(huán)境中擁有更強的性能和性能/功耗比。平臺功耗的下降要歸功于 MCH 中 TDP 的降低和下一代英特爾® I/O 控制器中樞 9R 及標準原生 DDR2 內(nèi)存技術(最高可支持 48 GB)的高效應用。1066/1333 MHz 前端總線頻率,高速數(shù)據(jù)傳輸,提升吞吐效率

平臺亮點:

  • 雙處理功能可為每個平臺提供多達八枚執(zhí)行并行任務的高性能內(nèi)核。
  • 英特爾® 至強® 處理器 5000/3000 系列采用的通用架構和插槽有效地簡化了升級過程。
  • 超高密度低功耗處理器選項(TDP 為 40 瓦)可以在減少功耗/散熱運行成本的同時提高性能/功耗比。
  • 面向線程化應用的高級計算特性提供了 8 條線程,擁有 64 位和 32 位處理能力。
  • 選擇兼容 AdvancedTCA* 外形和 NEBS 第 3 級散熱規(guī)范的處理器選項。
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