芯源MP8699B 半橋GaN MOSFET驅(qū)動(dòng)器
MP8699B是一款MOSFET驅(qū)動(dòng)器，專用于驅(qū)動(dòng)半橋或同步應(yīng)用中的增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) MOSFET或具有低柵極電壓的 N 溝道 MOSFET。
產(chǎn)品分類：工業(yè)電源 工控供應(yīng)鏈 其它 半導(dǎo)體器件
品牌：MPS
產(chǎn)品介紹
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MP8699B是一款MOSFET驅(qū)動(dòng)器，專用于驅(qū)動(dòng)半橋或同步應(yīng)用中的增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) MOSFET或具有低柵極電壓的 N 溝道 MOSFET。 該器件具有獨(dú)立的高端 (HS) 和低端 (LS) 脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入。
MP8699B采用自舉 (BST) 技術(shù)提供 HS-FET 驅(qū)動(dòng)器電壓，并可在高達(dá) 100V 的電壓下工作。BST充電技術(shù)將HS-FET 驅(qū)動(dòng)器電壓保持在 VCC 電壓以下，從而防止柵極電壓（VGATE）超過增強(qiáng)型 GaN MOSFET 的最大柵源電壓（VGS） 額定值。
MP8699B 具備兩個(gè)獨(dú)立的柵極，通過增加?xùn)艠O環(huán)路的阻抗，實(shí)現(xiàn)獨(dú)立的 MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷速度控制。
MP8699B 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封裝。
產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
獨(dú)立的高端 (HS) 與低端 (LS) 邏輯輸入
高端MOSFET（HS-FET）浮動(dòng)偏置電壓軌工作電壓高達(dá) 100 VDC
可調(diào)節(jié)導(dǎo)通與關(guān)斷速度控制的獨(dú)立柵極輸出
4.5V 至 5.5V VCC 范圍
0.2Ω 下拉電阻、1.3Ω 上拉電阻
快速傳播時(shí)間（通常為 17ns）
出色的傳播延遲匹配（通常為 1.5ns）
采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封裝
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